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Hydride vapor phase epitaxy of Al-related nitride semiconductors using controlled precursor molecules / Takayoshi Yamane
(博士学位論文 ; 博工甲第501号)

データ種別 図書
著者標目 山根, 貴好 <ヤマネ, タカヨシ>
出版者 小金井 : 東京農工大学大学院工学府応用化学専攻
出版年 2007.3授与

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小金井・学位論文
090/K501 60565561

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別書名 異なりアクセスタイトル:原料分子制御によるAL系窒化物半導体のHVPE成長
大きさ 103p ; 31cm
本文言語 英語
一般注記 所属: 応用化学 纐纈明伯研究室
書誌ID 1000176526