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Quantum theoretical approach to understand growth kinetics of III-nitride on GaAs surface under an atmosphere of hydrogen : to obtain high quality III-nitride semiconductor / Yuriko Matsuo
(博士学位論文 ; 博工甲第333号)
| データ種別 | 図書 |
|---|---|
| 著者標目 | 松尾, 有里子 <マツオ, ユリコ> |
| 出版者 | 小金井 : 東京農工大学工学部 |
| 出版年 | 2003.3授与 |
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| 別書名 | 翻訳タイトル:常圧水素雰囲気下におけるGaAs表面上3族窒化物の成長動力学への量子論的アプローチ : 高品質3族窒化物半導体の作製に向けて |
|---|---|
| 大きさ | ii, 105 p. ; 30 cm. |
| 本文言語 | 英語 |
| 一般注記 | 所属: 工学研究科応用化学専攻精密分子化学講座 纐纈明伯研究室 |
| 書誌ID | 1000138462 |